一、LEDサイズ
LED電流の大きさは使用寿命に直接影響しており、減額使用を提案しているので、できるだけ小さい点を制御し、特にLEDの放熱効果が悪い場合は、LEDは必ず余裕を残しておく必要があります。
二、チップ発熱
これは主に電源変調器を内蔵した高圧駆動チップを対象としています。チップが消費する電流が2 mAで、300 Vの電圧がチップに印加されていれば、チップの消費電力は0.6 Wであり、当然チップの発熱を引き起こします。駆動チップの*電流は駆動電力MOS管の消費から来ており、簡単な計算式はI=cvfです(充電の効果を考慮して、実際のI=2 cvf、ここでcは電力MOS管のcgs、vは電力管がオンしたときのga電圧であるため、チップの消費電力を下げるためには、c、vとfを下げる方法を考えなければなりません。c、vとfが変更できない場合は、チップの消費電力をチップ外のデバイスに分ける方法を考えて、余分な消費電力を導入しないように注意してください。
三、電力管発熱
パワーチューブの消費電力は、スイッチング損失とオン損失の2つの部分に分かれています。多くの場合、特にLEDの市電駆動用途では、スイッチの損傷が導通損失よりはるかに大きいことに注意しなければなりません。スイッチング損失は電力管のcgdとcgs及びチップの駆動能力と動作周波数と関係があるので、電力管の発熱を解決するには以下のいくつかの方面から解決することができます。
1、内部抵抗が小さいほど、cgsとcgd容量が大きくなるため、オン抵抗の大きさに応じてMOS電力管を片面的に選択することはできません。例えば、1 N 60のcgsは250 pF前後、2 N 60のcgsは350 pF前後、5 N 60のcgsは1200 pF前後で、差が大きすぎて、電力管を選択する時、十分であればいいです。
2、あとは周波数とチップ駆動能力だけで、ここでは周波数の影響だけを話します。周波数は導通損失にも比例するので、電力管が発熱する場合は、まず周波数選択が少し高いかどうかを考えなければなりません。ただし、周波数が低下すると、同じ負荷能力を得るためには、ピーク電流が大きくなるか大きくなる必要があり、いずれもインダクタンスが飽和領域に入る可能性があることに注意してください。インダクタンス飽和電流が十分に大きい場合は、CCM(連続電流モード)をDCM(非連続電流モード)に変更することを考えると、負荷容量を1つ増やす必要があります。
四、動作周波数のダウンコンバート
これもユーザーがデバッグ中によく見られる現象で、周波数ダウンは主に2つの側面に起因しています。入力電圧と負荷電圧の割合が小さく、システム干渉が大きい。前者の場合は、負荷電圧を高く設定しすぎないように注意してください。負荷電圧が高いと効率が高くなりますが。後者の場合は、次の点を試してみてください。
1、電流を更に小さく設定する。
2、配線の清潔をキープする。特にsenseという重要な経路だ。
3、インダクタンスの数値を小さく選択する。または閉磁路のインダクタンスを選択する。
4、RCローパスフィルタをかけましょう。この影響は少しよくありません。Cの一致性が悪く、偏差が少し大きいですが、照明には十分なはずです。いくら周波数を下げてもメリットがなく、デメリットしかないので、必ず解決しなければなりません。
五、インダクタンス又は選択
複数のユーザーは、同じ駆動で、aで生産されたインダクタンスは問題なく、bで生産されたインダクタンス電流は小さくなったと反映しています。このような場合は、インダクタンス電流波形を見てみましょう。エンジニアの中には、この現象に気づかずに、sense抵抗を直接調整したり、動作周波数が必要な電流に達したりすることもあり、LEDの使用寿命に深刻な影響を与える可能性があります。
したがって、設計前には合理的な計算が必要で、理論計算のパラメータとデバッグパラメータが少し離れている場合は、周波数降下と変圧器が飽和しているかどうかを考慮しなければなりません。変圧器が飽和するとLが小さくなり、送信delayによるピーク電流の増分が急激に上昇すると、LEDのピーク電流も増加します。平均電流が変わらない前提では、光が衰えるのを見るしかありません。
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